چکیده:
در این مقاله طراحی٬ ساختار و تئوری mosfet ارایه میشود. مدلهای مختلف mosfet شامل nmos و pmos تشریح شده و روابط تئوری مربوطه ارایه میشود. در ادامه منابع ولتاژ و جریان و کاربرد mosfet به عنوان یک منبع تغذیه به طور کامل بررسی شده و نمونه های مختلفی از منابع ولتاژ و جریان با استفاده از تکنولوژی ماسفت ارایه گردیده و مورد تجزیه و تحلیل قرار می گیرد.
خلاصه ماشینی:
برابر است با عرض گیت برای ارتفاع کانال گیت از منظر نسبت تبدیل فوق و Cox برابر است با چگالی ظرفیت خازن که تابعی است از لایه گیت در نتیجه خواهیم داشت: {مراجعه شود به فایل جدول الحاقی} در رابطه 2 ثابت دی الکتریک دی اکسید سیلیسیم [345fF/cm] در حالیکه Tox برابر است با متوسط کاهش غلظت عایق اکسید گیت همراه با رابطه ولت – آمپر در حالت اشباع برای ترانزیستور P-channel که در شکل 2 نشان داده شده است.
Isd از سورس بسمت درین جاری میشود در نوعchannel- P یا ترانزیستور PMOS و بنابراین خواهیم داشت: {مراجعه شود به فایل جدول الحاقی} مدل حالت پایدار ساده سازی شده یک ترانزیستور NMOS در شکل شماره 1 برای عملکرد در حالت اشباع نشان داده شده است.
بعبارت دیگر اگرR خیلی بزرگ باشد با توجه به رابطه 12 خواهیم داشت: {مراجعه شود به فایل جدول الحاقی} در شکل 14 پاسخ حالت پایدار Vref برای اعمال به ولتاژ ورودی Vx و برای بایاس شبکه نشان داده شده است؛ که در آن و ولتاژ آستانه Vh از مقدار 500 میلی ولت.
در شکل 15 فرض شده که مدار نشان داده شده در شکل14 همانند یک دیود اتصالی بوسیله جریان مرجع Iref است؛ بنابراین: {مراجعه شود به فایل جدول الحاقی} شکل16 را در نظرمی گیریم که برای ترانزیستور M3 خواهیم داشت: {مراجعه شود به فایل جدول الحاقی} اگر جریان درین برابرIref باشد بر اساس رابطه 33 ولتاژ گیت –سورس M 3 ایجاد میشود؛ که از M1 بسمت زمین برای ایجاد ولتاژVbias جاری میشود.