چکیده:
آنتن های پچ به طور گستردهای برای کاربردهای مختلف با توجه به هزینه کم آنها ،مشخصات کم، سازگاری
با تکنولوژی آی سی، سهولت ساخت، نصب و راه اندازی روی سطوح با اشکال متفاوت بکار میروند. هدف
این مقاله بررسی روش جدید برای توسعه آنتنهای مایکرواستریپ پهن باند با استفاده از زیرلایه های حاوی
حوزه زمان تفاضل محدود( به تجزیه ( FDTD بلورهای فوتونی می باشد. در این پژوهش با استفاده از روش
ویژه، همراه با شبیه سازی مختلف پرداخته میشود. نتایج PBG و تحلیل آنتن پچ با و بدون عبور ساختار
حکایت از آن دارد که امواج سطحی که در امتداد سطح پیش ماده و زیرآیند پراکنده میشوند به واسطه
PBG تاثیر فاصله نواری کریستال نوری متقاطع به صورت نوار ممنوعه، به وسیله این ساختار فاصله نواری
میتوانند جلوگیری کنند، که در عین حال میتوانند بیشتر انرژی امواج الکترومغناطیسی در زیرآیند و پیش
در مقایسه با آنتن های پچ مرسوم (S ماده را ساطع نماید و در عین حال دارای تلفات بازگشتی کمتری ( 11s باشد که بر این اساس، بازده و بهره بالایی بدست آمده و عملکرد آن تقویت یافته است. به واسطه این مزایا،
استفاده از آنتن های پچ کریستال نوری در حوزههایی مثل ارتباطات ماهوارهای و الکترونیک هواپیمایی و
غیره گسترش خواهد یافت.
خلاصه ماشینی:
در این پژوهش با استفاده از روش FDTD (حوزه زمان تفاضل محدود) به تجزیه و تحلیل آنتن پچ با و بدون عبور ساختار PBG ویژه، همراه با شبیه سازی مختلف پرداخته میشود.
نتایج حکایت از آن دارد که امواج سطحی که در امتداد سطح پیش ماده و زیرآیند پراکنده میشوند به واسطه تأثیر فاصله نواری کریستال نوری متقاطع به صورت نوار ممنوعه، به وسیله این ساختار فاصله نواری PBG میتوانند جلوگیری کنند، که در عین حال میتوانند بیشتر انرژی امواج الکترومغناطیسی در زیرآیند و پیش ماده را ساطع نماید و در عین حال دارای تلفات بازگشتی کمتری (S11) در مقایسه با آنتن های پچ مرسوم باشد که بر این اساس، بازده و بهره بالایی بدست آمده و عملکرد آن تقویت یافته است.
مقاومت میدان الکتریکی امواج سطحی آنتن قراردادی ، از ساختار PBG در شکل زیر قویتر است که به طور مستقیم نشان میدهد که امواج سطحی استتار داده شده در امتداد سوبسترا میتواند با استفاده از ساختار ویژه متقاطع PBG محدود شود.
نتایج حکایت از آن دارد که امواج سطحی که در امتداد سطح پیش ماده و سوبسترا پراکنده میشوند میتوانند به واسطه تأثیر فاصله نواری کریستال نوری متقاطع به صورت نوار ممنوعه، به وسیله این ساختار فاصله نواری PBG جلوگیری شود، که در عین حال میتوانند بیشتر انرژی امواج الکترومغناطیسی در سوبسترا و پیش ماده را ساطع نماید و در عین حال دارای افت برگشتی کمتری (S11) در مقایسه با آنتنهای اتصالی موقت قراردادی باشد که بر این اساس، یک بازده و بهره بالایی بدست آورده و عملکرد آن تقویت یافته است.